特許
J-GLOBAL ID：200903076767392925
多層配線の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-089180
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291416
出願日： 1992年04月10日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【構成】 基板上に下層配線1を形成後、全面にポリイミドから成る層間絶縁膜2を形成する。次に、フォトリソ,エッチングにより、下層配線1表面を露出させた後、真空中でArガスを用いたスパッタクリーニング及びO2プラズマを用いたスパッタクリーニングを連続的に行う。次に、スパッタリングにより上層配線材料4を堆積させ、フォトリソ,エッチングにより上層配線5を形成する。【効果】 下層配線1と上層配線5との接触抵抗を低減できると同時に、層間絶縁膜2表面の電気伝導度の上昇を抑え、上層配線5,5間のリーク電流を減少させることができる。
請求項（抜粋）：
上面が有機系材料から成る層間絶縁膜を有する、多層配線の形成方法において、下層配線を形成後、前記層間絶縁膜を全面に形成し、該層間絶縁膜をエッチングし、前記下層配線表面を露出させる工程と、該工程後、真空中でArガスを用いて前記下層配線表面をスパッタクリーニングし、真空状態を保ったまま、O2プラズマを用いて前記層間絶縁膜表面をスパッタクリーニングする工程と、該工程後、前記真空状態を保ったまま、上層配線材料を堆積させ、フォトリソ・エッチングを行い上層配線を形成する工程とを有することを特徴とする、多層配線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/302
, H01L 21/312
