特許
J-GLOBAL ID：200903076775402069
半導体等における欠陥の検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新関 宏太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145132
公開番号（公開出願番号）：特開平10-293102
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体等の内部欠陥の正確な検出。【構成】 半導体ウエハからなる被検物体105にレーザビーム101を入射させ、それによって生じる前記被検物体105からの散乱光による散乱像を顕微鏡109を介して得、これに基づいて前記被検物体105の内部欠陥を検出する方法において、前記被検物体105の表面の法線106および前記顕微鏡109の観察光軸108および前記レーザビーム101の入射光軸110は同一平面内にあるように配置し、かつ前記レーザビーム101の入射光軸110は一側上方から被検物体105に対して斜めに入射して被検物体105内を他側下方に向けて屈折光104の光軸102となって進むようにし、前記顕微鏡109は他側上方から前記被検物体105を観察するように配置し、もって、前記顕微鏡109により前記屈曲光104による欠陥の散乱像を全体的に観察するようにした半導体等における欠陥の検出方法。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハからなる被検物体105にレーザビーム101を入射させ、それによって生じる前記被検物体105からの散乱光による散乱像を顕微鏡109を介して得、これに基づいて前記被検物体105の表面および内部の欠陥を検出する方法において、前記被検物体105の表面の法線106と前記顕微鏡109の観察光軸108および前記レーザビーム101の入射光軸110は同一平面内にあるように配置し、かつ前記レーザビーム101の入射光軸110は一側上方から被検物体105に対して斜めに入射して被検物体105内を他側下方に向けて屈折光104の光軸102となって進むようにし、前記顕微鏡109は他側上方から前記被検物体105を観察するように配置し、もって、前記顕微鏡109により前記屈曲光104による欠陥の散乱像を全体的に観察するようにした半導体等における欠陥の検出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 N
