特許

J-GLOBAL ID：200903076779774947

半導体装置の製造方法

発明者： 筑根 敦弘 ,  鈴木 浩助
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-004567
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195381
出願日： 1995年01月17日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】 HFガスを含むエッチングガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングする半導体装置の製造方法に関し、不純物の添加の有無によりシリコン酸化膜のエッチングレートを制御することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 まず、バルブ22、24、38を開け、ボンベ20からHFガスを供給し、バルブ30、31、40を開け、薬液槽28からアルコールを含んだN2ガスを供給し、バルブ35、42を開け、パイプ34からNH3 ガスを供給する。続いて、流量コントローラ26、32、36により各ガスが所定の流量になるように流量を制御する。続いて、ゲートバルブ52を介してエッチングすべきウエーハ50をエッチング室48に入れ、シリコン酸化膜のエッチングを開始する。シリコン酸化膜のエッチングが終了すると、各バルブ22、24、38、30、31、40、35、42を閉じて、エッチングガスの供給を停止する。

請求項（抜粋）：

HFガスを含むエッチングガスを用いてシリコン酸化膜をエッチングする半導体装置の製造方法において、前記エッチングガスに、pHを大きくする特性を有するガスを混合することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 P