特許

J-GLOBAL ID：200903076780115485

シリコン基板化合物半導体装置とその製造方法

発明者： 大堀 達也
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-353903
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166724
出願日： 1991年12月19日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 シリコン基板化合物半導体装置とその製造方法に関し、表面形状(モホロジ)を改善してフォトリソグラフィー等の微細加工を可能にし、半導体装置の特性を向上し、歩留りを改善する。【構成】 シリコン基板1の上に単数あるいは複数の第1の化合物半導体層2を成長した後、この第1の化合物半導体層2の表面を鏡面研磨し、その上にさらに単数あるいは複数の第2の化合物半導体層3,4,5・・を成長することによって表面形状(モホロジ)を改善する。また、成長する化合物半導体層にInを導入することによって、転位を緩和して特性を改善し、あるいは、転位によるエッチングストッパ層のエッチングの突き抜けを防止する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、その上に形成された最上層表面が鏡面研磨された単数あるいは複数の第1の化合物半導体層と、該第1の化合物半導体層の上に形成された単数あるいは複数の第2の化合物半導体層とを含むことを特徴とするシリコン基板化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812