特許
J-GLOBAL ID：200903076782337949
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-188802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086510
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】 チップ面積を増大させることなく、静電破壊耐量を高くする。【構成】 共通放電線1はVcc端子10、入力端子11、VccQ端子13、出力端子14、GndQ端子15、......、端子1n各々の近傍を通るように配設されている。グランド端子12,16,......を除く上記の各端子は電圧クランプ素子2-1〜2-m及びダイオード3-1〜3-mの並列素子によって共通放電線1に接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に設けられた複数の金属端子と、前記複数の金属端子各々の近傍を通るよう配設されかつ前記複数の金属端子各々に共通に接続される共通放電線と、前記複数の金属端子のうち少なくとも一部の金属端子に対応して設けられかつ当該金属端子と前記共通放電線とを接続して当該金属端子を静電破壊から保護する保護素子とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 23/60
H01L 27/04 H
, H01L 27/04 D
