特許
J-GLOBAL ID:200903076783936099
空間光変調素子及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-018987
公開番号(公開出願番号):特開平5-216059
出願日: 1992年02月04日
公開日(公表日): 1993年08月27日
要約:
【要約】【目的】 印加電圧に応じて読み出し光の強度、位相又は進行方向を変調する液晶材料からなる光変調層を備えた空間光変調素子において、光導電層の側へと読み出し光が漏れるのを効果的に防止すると共に、読み出し光を吸収しても素子の解像度が劣化しないようにすることである。【構成】 光導電層1Aの表面に、透明電極膜2Aと遮光層3が設けられる。遮光層3の上に誘電体多層膜4、液晶材料からなる光変調層8、透明電極膜2Bを設ける。5〜45原子%(更に好ましくは12.5〜35原子%)のゲルマニウムと17.5〜92.5原子%(更に好ましくは25〜82.5原子%) の炭素と、 2.5〜77.5原子% (更に好ましくは5〜62.5原子%) のケイ素とから実質的に構成されたアモルファス膜を、遮光層3とする。
請求項(抜粋):
光導電層と、この光導電層の一方の面に設けられた一方の透明電極膜と、前記光導電層の他方の面に設けられた遮光層と、この遮光層上に設けられた誘電体多層膜と、この誘電体多層膜上に設けられた光変調層と、この光変調層の表面に設けられた他方の透明電極膜とを少なくとも備えた空間光変調素子であって、前記光変調層が、印加電圧に応じて読み出し光の強度、位相もしくは進行方向を変調する液晶材料によって形成され、前記遮光層が、5〜45原子%のゲルマニウムと17.5〜92.5原子%の炭素と 2.5〜77.5原子%のケイ素とから実質的に構成されたアモルファス膜である、空間光変調素子。
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