特許

J-GLOBAL ID：200903076797452337

レジストパターンの形成方法および半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 小野塚 利彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-020847
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223501
出願日： 1997年02月03日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅型反応レジストを用いて高精度なレジストパターンを半導体ウエハ上に形成することのできる技術を提供する。【解決手段】 半導体ウエハ1上に塗布された化学増幅型反応レジスト2を露光した直後に、半導体ウエハ1を真空中に放置し、化学増幅型反応レジスト2に含まれる残留レジスト溶剤9をキャリアとして露光により生じた触媒4を化学増幅型反応レジスト2の厚さ方向へ拡散させる。次いで、触媒4の横方向の拡散を最小限に抑えた90°C以下の低温ベークを半導体ウエハ1に施すことによって触媒4を反応させ、化学増幅型反応レジスト2の解像度を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハ上の被エッチング膜の表面に化学増幅型反応レジストを塗布する工程と、フォトマスクを介して放射線を前記化学増幅型反応レジストに照射することによって触媒を発生させ、レジストパターンの潜像を前記化学増幅型反応レジストに形成する工程と、前記化学増幅型反応レジスト中の残留レジスト溶剤を揮発させると共に前記触媒を前記化学増幅型反応レジストの厚さ方向に異方的に拡散させる工程と、前記化学増幅型反応レジスト中の前記触媒を反応させる工程と、前記半導体ウエハに現像処理を施す工程とを有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511

FI (4件)：

H01L 21/30 569 F ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/38 511