特許

J-GLOBAL ID：200903076797724744

SOI基板の製造方法およびこれを利用した双極子トランジスターの製造方法

発明者： 簾 炳烈 ,  韓 太鉉 ,  李 秀▲ミン▼ ,  趙 徳鎬 ,  李 成▲ハーン▼ ,  姜 鎭榮
出願人/特許権者： 財団法人韓国電子通信研究所 ,  韓國電氣通信公社
代理人 (1件)： 富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-314813
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186165
出願日： 1994年12月19日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：

【要約】【目的】単純化された工程によってパタン密度、即ち表面の均一度と関係のなしに薄膜を完全に平坦化して信頼性を向上させるとともに基板を構成する各薄膜の厚さの制御が容易な素子隔離されたSOI(Silicon on Insulator)基板を製造する方法を提供する。【構成】SOI基板において、直接ボンディングされた接合基板27の全面に形成された第2絶縁層23bと、前記第2絶縁層23bの上部に形成されて平坦化された第1絶縁層23aと活性層31を具備しており、前記活性層31は第1絶縁層23aによって隔離される。

請求項（抜粋）：

SOI基板の製造方法において、単結晶珪素基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜をパターニングして開口部を形成する工程と、前記開口部内に単結晶珪素を成長させ、活性領域と非活性領域を形成する工程と、前記第1絶縁膜を研磨中止膜として利用して前記活性領域を研磨して、その表面の平坦化を行なう工程と、前記平坦化された表面上に第2の絶縁膜を積層する工程と、前記第2の絶縁膜上に接合基板を接合させる工程と、前記第1の絶縁膜を中止膜として利用して、前記珪素基板を前記活性領域の表面まで研磨する工程とを有することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/762 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-028375
  
• 特開昭57-079634
  
• 特開平3-296347