特許

J-GLOBAL ID：200903076799081034

静電容量センサ

発明者： 鈴木 利尚 ,  佐藤 明善 ,  平野 雅三
出願人/特許権者： ヤマハ株式会社
代理人 (2件)： 吉田 大 ,  岩上 渉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-345400
公開番号（公開出願番号）：特開2008-160352
出願日： 2006年12月22日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
要約：

【課題】 静電容量センサのS/Nを増大することを目的とする。【解決手段】 対向電極の一方であり安定したバイアスが印加されるバイアス電極と、前記対向電極の他方である信号電極と、を備えるセンサダイと、外形が前記信号電極の垂直投影領域を内包し電位が安定する安定電位導電膜と、前記センサダイが接合される接合面と、を備えるシールド部品と、を備え、前記信号電極は、前記バイアス電極と前記安定電位導電膜との間に位置する、静電容量センサ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

対向電極の一方であり安定したバイアスが印加されるバイアス電極と、前記対向電極の他方である信号電極と、を備えるセンサダイと、 外形が前記信号電極の垂直投影領域を内包し電位が安定する安定電位導電膜と、前記センサダイが接合される接合面と、を備えるシールド部品と、 を備え、 前記信号電極は、前記バイアス電極と前記安定電位導電膜との間に位置する、 静電容量センサ。

IPC (2件)：

H04R 19/04 ,  H04R 3/00

FI (2件)：

H04R19/04 ,  H04R3/00 320

Fターム (5件)：

5D020BB12 ,  5D021CC02 ,  5D021CC12 ,  5D021CC16 ,  5D021CC19

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 小型シリコンコンデンサマイクロフォンおよびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-546465   出願人：ノウレスエレクトロニクス,リミテッドライアビリティカンパニー
• 米国特許出願公開第2004/0046245号明細書
  
• 米国特許出願公開第2005/0018864号明細書