特許

J-GLOBAL ID：200903076810019923

炭素材料作製方法

発明者： 井上 亨 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-348219
公開番号（公開出願番号）：特開平5-155690
出願日： 1991年12月04日
公開日（公表日）： 1993年06月22日
要約：

【要約】【目的】 コストの高いプロセスを使用せずにダイヤモンドを含む炭素材料を容易に安価に形成する装置を提案する。【構成】 反応用出発原料として、常温で気体あるいは液体の状態で存在し、1.1-脱離反応によりCX2 ラジカル(Xはハロゲン元素)あるいはCH2 ラジカルで代表されるカルベンを生成するようなハロゲン化炭化水素を原料の一つとし、水素あるいは水素と希釈ガスとして希ガスからなる原料を第二の原料として使用することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンドを含む炭素材料またはダイヤモンド材料の作製方法であって、反応用出発原料として、常温で気体あるいは液体の状態で存在し、1.1-脱離反応によりCX2 ラジカル(Xはハロゲン元素)あるいはCH2 ラジカルで代表されるカルベンを生成するようなハロゲン化炭化水素を原料の一つとし、水素あるいは水素と希釈ガスとして希ガスからなる原料を第二の原料として使用することを特徴とする炭素材料作製方法。

IPC (3件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/24 ,  C30B 25/14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-305096
  
• ダイヤモンド結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-331591   出願人：キヤノン株式会社