特許
J-GLOBAL ID：200903076812633408
半導体ウェーハの研磨用定盤
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
佐藤 隆久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-049158
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263385
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】ウェーハの平坦度と表面粗度を向上させる。【構成】表面粗度(粗さ)がほぼ10〜100μm程度である剛体定盤1の一主面に溝2を有する研磨面1aを形成し、この研磨面1aの表面にポリウレタン系樹脂、フッ素系樹脂などの樹脂皮膜3を形成する。
請求項（抜粋）：
表面粒度(粗さ)がほぼ10〜100μm程度である剛体定盤の一主面に溝を有する研磨面を形成し、この研磨面の表面に樹脂皮膜を形成した、ことを特徴とする半導体ウェーハの研磨用定盤。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, B24B 37/04
