特許

J-GLOBAL ID：200903076816993816

半導体装置の製造方法

発明者： 申 大▲堤▼ ,  原田 秀樹
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  株式会社九州富士通エレクトロニクス
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-042772
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243212
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 パシベーション膜の形成方法に特徴を有する半導体装置の製造方法に関し、耐湿性が良好で、被覆性がよく、厚く形成してもクラックの発生を伴わない緻密なパシベーション膜を有する半導体装置を提供する。【構成】 半導体装置の表面に被覆性が優れたポリシラザン膜5を塗布し、このポリシラザン膜5をウェット酸素雰囲気等の酸化性雰囲気中で比較的低温でキュアして酸化することによって緻密で吸湿性が小さいシリコン酸化膜6からなるパシベーション膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の表面に被覆性が優れたポリシラザンを塗布する工程と、塗布したポリシラザンをキュアして酸化することによって緻密で吸湿性が小さいシリコン酸化膜からなるパシベーション膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。