特許

J-GLOBAL ID：200903076823261006

熱電変換素子基板の接合方法

発明者： 牧野 篤 ,  山田 周吾 ,  相馬 誠
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113383
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298316
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 熱電変換素子2を構成する合金は表面に汚れが付着したり、酸化膜を形成し易い。このためはんだ接合層中にボイドが発生し易い。目的ははんだ接合層中にボイドが少なく、良好な熱電変換素子基板の接合方法を提供する。【解決手段】 銅板1にp型の熱電変換素子2が形成された基板4aと、銅板1にn型の熱電変換素子2が形成された基板4bとを接合する方法であって、上記熱電変換素子2の表面5を減圧アルゴン中でイオンスパッタリングを施した後に、この熱電変換素子2と、この熱電変換素子2に対応する銅板1とをはんだ接合する。これにより、アルゴンイオンでクリーニングされ、熱電変換素子2の表面5の汚れや酸化膜を除去するため、ボイドの発生が少なくなる。

請求項（抜粋）：

銅板にp型の熱電変換素子が形成された基板と、銅板にn型の熱電変換素子が形成された基板とを接合する方法であって、上記熱電変換素子の表面を減圧アルゴン中でイオンスパッタリングを施した後に、この熱電変換素子と、この熱電変換素子に対応する銅板とをはんだ接合することを特徴とする熱電変換素子基板の接合方法。

IPC (4件)：

H01L 35/08 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 ,  H01L 35/34

FI (4件)：

H01L 35/08 ,  H01L 35/16 ,  H01L 35/32 A ,  H01L 35/34