特許
J-GLOBAL ID:200903076825063341
発光ダイオードおよびその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
長谷川 曉司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-157798
公開番号(公開出願番号):特開平11-354837
出願日: 1998年06月05日
公開日(公表日): 1999年12月24日
要約:
【要約】【課題】 簡易に光出力を向上することができる発光ダイオードを提供する。【解決手段】 基板上にエピタキシャル層を有してなり、該エピタキシャル層中にpn接合を有する発光ダイオードにおいて、基板側表面とエピタキシャル層側の表面のうち、よりpn接合に近い側の表面の方が、もう一方の表面より、表面積が大きいことを特徴とする発光ダイオード、並びに、基板上にエピタキシャル層を積層してなり、該エピタキシャル層中にpn接合を有する発光ダイオードを製造する方法において、基板上にエピタキシャル層を積層する工程および基板側からダイシングする工程を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
請求項(抜粋):
基板上にエピタキシャル層を有してなり、該エピタキシャル層中にpn接合を有する発光ダイオードにおいて、基板側表面とエピタキシャル層側の表面のうち、よりpn接合に近い側の表面の方が、もう一方の表面より、表面積が大きいことを特徴とする発光ダイオード。
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平2-290084
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特開昭49-005585
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特開昭60-055640
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