特許
J-GLOBAL ID：200903076827151841
柱状電極付き半導体ウエハ及びその製造方法並びに半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-129356
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323510
出願日： 1999年05月11日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 柱状電極により熱応力を効果的に緩和し、実装基板との接合部の接合信頼性を向上させる柱状電極付き半導体ウエハを提供する。【解決手段】 半導体ウエハ10の電極端子形成面に、各電極端子12に一端側が接続された配線パターン16が絶縁層14を介して形成され、配線パターン16の他端側に、銅めっきにより柱状電極18が形成され、該柱状電極18の頂部端面に保護めっき被膜18aが形成された柱状電極付き半導体ウエハにおいて、前記銅めっきにより形成された金属からなる柱状電極18の硬さを低下させる加熱処理が施されたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの電極端子形成面に、各電極端子に一端側が接続された配線パターンが絶縁層を介して形成され、配線パターンの他端側に、銅めっきにより柱状電極が形成され、該柱状電極の頂部端面に保護めっき被膜が形成された柱状電極付き半導体ウエハにおいて、前記銅めっきにより形成された金属からなる柱状電極の硬さを低下させる加熱処理が施されたことを特徴とする柱状電極付き半導体ウエハ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 602 F
, H01L 23/12 L
