特許

J-GLOBAL ID：200903076827367674

電界効果型太陽電池

発明者： 村松 信一 ,  大塚 寛之 ,  筒井 謙 ,  蕨迫 光紀 ,  永田 寧 ,  坂本 雅彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007227
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199742
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 半導体接合の太陽電池において、光入射側と反対側に絶縁膜を介した電圧印加用電極を有し、電圧印加用電極下の絶縁膜にピンホールがないことを特徴とする。【解決手段】 絶縁膜のピンホール防止のために、主に用いられる絶縁膜であるシリコン酸化膜が、エッチング時にピンホールを生じない構造とする。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層と第2の半導体層からなる接合を有する太陽電池において、光入射側(表面側)および反対側(裏面側)の両面または片面に、電流取り出し電極とは別に、絶縁性薄膜を介して電圧印加用電極を有し、上記絶縁性薄膜は、ピンホールの確率が100cm2に1個以下のレベルにあることを特徴とする電界効果型太陽電池。

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 L

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-206270
  
• 特開昭59-115542
  
• 特開昭64-071152