特許
J-GLOBAL ID:200903076828860951
電子部品装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
若林 邦彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-302926
公開番号(公開出願番号):特開2000-133675
出願日: 1998年10月23日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】他の電子部品と同時に実装して、実質無加圧の自重で一括して加熱処理で熱硬化して電極の電気的導通を得ることで、実装工程を簡略化できるとともに、大幅なコスト低減を図ることが可能となる半導体装置を提供する。【解決手段】チップを搭載基板に、チップ端子(a)を載基板の端子(b)と対向させ接着剤を介して搭載し、加熱により前記接着剤を硬化させた半導体装置で、接着剤が接着剤硬化物の収縮率が下記方法で測定した値で5μm〜端子(a)高さの1/2であることを特徴とする。10mm角のチップの周辺にスタッドバンプを配置した550μm厚のシリコンチップを20μmの高さにレベリングした後、中心部に接着剤を4mm角(厚み:30μm)に塗布した550μm厚のシリコンウエハに180°Cで接着剤を熱圧着したときの室温でのシリコンウエハの反り量(測定長:13mm)を測定し接着剤の収縮率とする。
請求項(抜粋):
電子部品を搭載基板に、前記電子部品の端子(a)を前記搭載基板の端子(b)と対向させ接着剤を介して搭載し、加熱により前記接着剤を硬化させた電子部品装置であって、前記接着剤は接着剤硬化物の収縮率が下記方法で測定した値で5μm〜端子(a)高さの1/2であることを特徴とする電子部品装置。10mm角のチップの周辺にスタッドバンプを配置した550μm厚のシリコンチップを20μmの高さにレベリングした後、中心部に接着剤を4mm角(厚み:30μm)に塗布した550μm厚のシリコンウエハに180°Cで接着剤を熱圧着したときの室温でのシリコンウエハの反り量(測定長:13mm)を測定し接着剤の収縮率とする。
Fターム (3件):
5F044LL09
, 5F044LL11
, 5F044NN05
引用特許: