半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-103915
公開番号（公開出願番号）：特開2000-299350
出願日： 1999年04月12日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】【課題】電極の酸化膜の形成を防止することでスループットを向上させるとともに、樹脂封止後の電極の腐食を防止することにより信頼性を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】回路素子が形成された半導体基板と、この半導体基板上に形成された絶縁層31と、絶縁層31に形成されるとともに、前記回路素子に接続された外囲器接続用電極37と、この接続用電極上に形成され外囲器接続用電極37の酸化を防止するとともに、所定の熱圧着若しくは超音波振動により破壊される電極酸化防止膜39とを備えるようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成されかつ金属ワイヤが接合される接続用電極と、前記接続用電極上に形成され前記接続用電極の酸化を防止するとともに前記金属ワイヤの接合時に破壊される電極酸化防止膜とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 301 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 301 P , H01L 21/60 301 B

Fターム (6件)：

5F044AA15 , 5F044EE01 , 5F044EE02 , 5F044EE04 , 5F044EE07 , 5F044EE21

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