特許

J-GLOBAL ID：200903076832898750

積層セラミックコンデンサとその製造方法

発明者： 猪又 康之 ,  沖野 喜和
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 窪田 法明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-121993
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317321
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 近年における電子回路の小型化、高密度化の流れに伴い、積層セラミックコンデンサについても小型大容量化が求められ、小型大容量化のために誘電体層の積層数の更なる増加と、誘電体層の更なる薄層化が進んでいる。このため、誘電体層の絶縁抵抗が小さくなり過ぎ、内部電極間で絶縁破壊が生じ易くなるという問題があった。【解決手段】 この発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体層の、内部電極のエッジ部近傍の領域の全部又は一部を他の領域より耐電圧の高い誘電体磁器で形成した。例えば、誘電体磁器を形成しているセラミック粒子の粒径を他の領域の誘電体磁器を形成しているセラミック粒子の粒径より小さくして耐電圧を高くすることができる。内部電極を形成する導体パターンのエッジ部近傍の領域の全部又は一部に粒成長抑制剤を塗布して焼成すれば誘電体磁器を形成しているセラミック粒子の粒径を小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

誘電体磁器からなる誘電体層と内部電極とを交互に積層してなる積層体と、該内部電極に各々接続された状態で該積層体の端部に形成された一対の外部電極とを備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記誘電体層の、前記内部電極のエッジ部近傍の領域の全部又は一部を他の領域より耐電圧の高い誘電体磁器で形成したことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 301

FI (3件)：

H01G 4/12 349 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 301 A