特許
J-GLOBAL ID：200903076858748358

ナノスケール物質の構造制御方法

発明者：
前橋 兼三

前橋 兼三 について

, 
井上 恒一

井上 恒一 について

, 
松本 和彦

松本 和彦 について

, 
大野 恭秀

大野 恭秀 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について


代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307602
公開番号（公開出願番号）：特開2005-074557
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 ナノスケールの低次元量子構造体の混合物から特定の構造の低次元量子構造体を選択的に消滅させる構造制御方法を実現する。【解決手段】 酸素雰囲気下で、ナノスケールの低次元量子構造体の混合物に電磁波を照射し、照射した電磁波と共鳴する状態密度の低次元量子構造体を選択的に酸化させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
酸素雰囲気下において、状態密度の異なるナノスケールの低次元量子構造体の混合物に電磁波を照射し、当該電磁波と共鳴する状態密度の低次元量子構造体を選択的に酸化させることを特徴とする構造制御方法。
IPC (3件)：
B82B3/00 ,  C01B21/064 ,  C01B31/02
FI (3件)：
B82B3/00 ,  C01B21/064 M ,  C01B31/02 101F
Fターム (10件)：
4G146AA07 ,  4G146AA12 ,  4G146AB04 ,  4G146AB06 ,  4G146BA11 ,  4G146BC09 ,  4G146BC44 ,  4G146CA17 ,  4G146CA20 ,  4G146CB16
引用特許：
審査官引用 (5件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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