特許

J-GLOBAL ID：200903076861928448

酸素イオン伝導度を改善する製造方法

発明者： レーン、ジョナサン、アンドリュー
出願人/特許権者： プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-565620
公開番号（公開出願番号）：特表2006-512737
出願日： 2003年12月22日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

シリコンまたはシリコン含有化合物を含む有害な不純物の存在により低下する酸素イオン伝導度を改善するイオン伝導体の製造方法。本発明に従って、アルカリ土類金属から成るドーパントの溶解塩を、ドープされたセリア又はドープされたジルコニアまたはドープされたランタン没食子酸塩で構成され、かつ前記有害な不純物を含んでいる酸素イオン伝導性材料に加える。該溶液は、該酸素イオン伝導性材料の製造に使用される陽イオン塩と酸化物に加えることもでき、そうしても同じように成功する。溶液が加えられている酸素イオン伝導性材料を完全に混合し、その後加熱して溶剤を蒸発させ、アルカリ土類金属を分解させ、それにより前記イオン伝導体を製造する。

請求項（抜粋）：

シリコンを含む有害な不純物の存在により低下する酸素イオン伝導度を改善するイオン伝導体の製造方法であって: アルカリ土類金属から成るドーパントの塩を溶剤中に溶解して溶液をつくることと; ドープされたセリア、ドープされたジルコニア、またはドープされたランタン没食子酸塩で構成され、かつ前記有害な不純物を含んでおり、寸法がおよそ100ミクロンより小さい粒子を有する粉末である酸素イオン伝導性材料に、前記ドーパントと、前記イオン伝導体中の全陽イオンとのモル比が約0.001と約0.1との間であるようにして、前記溶液を加えることと; 前記溶液が前記粒子を一様に被覆するように前記溶液と前記粒子を混合することと; 溶液が加えられている前記酸素イオン伝導性材料を加熱して溶剤を蒸発させ、前記の塩を分解させ、それにより前記イオン伝導体を製造すること; を含むイオン伝導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01B 13/00 ,  C04B 35/50 ,  C04B 35/48 ,  C25B 13/04

FI (4件)：

H01B13/00 Z ,  C04B35/50 ,  C04B35/48 B ,  C25B13/04 301

Fターム (26件)：

4G031AA02 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA09 ,  4G031AA12 ,  4G031BA03 ,  4G031CA01 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  5G301CA02 ,  5G301CA07 ,  5G301CA28 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE02 ,  5H026AA06 ,  5H026BB00 ,  5H026BB01 ,  5H026BB04 ,  5H026BB08 ,  5H026EE13 ,  5H026HH01 ,  5H026HH05