特許
J-GLOBAL ID：200903076864691910
半導体装置のイオン注入方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052647
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240388
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】 ラスタスキャン方式によるイオン注入法において、イオン注入量のばらつきを抑制して半導体装置に均一な濃度の拡散層を形成することを可能にする。【構成】 イオン注入する半導体基板101を所要の回転角度にて離散的に回動位置させながら、複数回に分けて半導体基板のイオン注入領域に対してラスタスキャン方式によりイオンビーム106を走査してイオン注入を行う。半導体基板101は0度よりも大きく180度以下の範囲の所要の回転角度で離散的に回転位置を変化させる。イオン注入量の均一化が可能となり、固体撮像装置の光電変換部の拡散層を形成したときには、撮像した画像特性の劣化を改善する。
請求項（抜粋）：
半導体基板にイオン注入して拡散層を形成するイオン注入方法において、半導体基板を所要の回転角度にて離散的に回動位置させながら、複数回に分けて前記半導体基板のイオン注入領域に対してイオンビームをラスタスキャン方式で走査することを特徴とする半導体装置のイオン注入方法。
IPC (2件)：
H01L 21/265
, H01L 27/148
H01L 21/265 V
, H01L 21/265 W
, H01L 27/14 B
