特許
J-GLOBAL ID：200903076865052016
平面サンプルの表面上へのイオン注入均一化装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩野 平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-081171
公開番号（公開出願番号）：特開平6-111750
出願日： 1991年03月22日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエーハの表面絶縁に適用する平面サンプルの表面上へのイオン注入均一化装置を提供することにある。【構成】 装置は回転部材(14)内に分布された複数の支持体(12)上に配置された平面サンプルの表面上へのイオンの注入を均一にする。好ましくはこれらの支持体(12)を回転させるための磁気手段(20,22,28)がドラムの各回転の間中種々の角度によりイオンビームの下にサンプルを持ち来しかつしたがつてサンプル中のイオンのチヤネリングに関連する問題を阻止することを可能にする。
請求項（抜粋）：
回転部材(14)、該回転部材(14)の一面上に分布された複数のサンプル支持体(12)および該サンプル支持体(12)を回転させる手段を有するとともに、磁界を形成する手段(18)および前記回転部材(14)を横切る回転スピンドル(28)を有し、各回転スピンドル(28)がその一端に駆動円板(22)をかつ他端で支持体(12)を保持し、一方各円板(22)の一端が前記回転部材の回転の間中磁界内に浸漬され、前記回転部材(14)の回転が前記磁界内に露出された前記駆動円板(22)の回転となることを特徴とする平面サンプルの表面上へのイオン注入均一化装置。
IPC (4件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, C23C 14/50
, H01L 21/265
