特許

J-GLOBAL ID：200903076873480108

CVD反応炉の洗浄プロセスおよび操作プロセス

発明者： ステファノ レオン ,  マルコ マウセリ ,  ジュゼッペ アボンダンザ ,  ダニーロ クリッパ ,  ジャンルカ バレンテ ,  マウリツィオ マシ ,  フランコ プレティ
出願人/特許権者： エルピーイー ソシエタ ペル アチオニ ,  イー・テイ・シー・エピタキシヤル・テクノロジー・センター・エス・アール・エル
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-528803
公開番号（公開出願番号）：特表2008-511753
出願日： 2005年07月12日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

本発明は、CVD反応炉の反応チャンバ(12)を洗浄するためのプロセスに関し、適切な温度までチャンバ壁を加熱するステップと、チャンバ中にガス流を流入させるステップとを含む。この洗浄プロセスは、チャンバ内の基板上に半導体材料を堆積するためのCVD反応炉の操作プロセス中で、有利に使用することができる。この操作プロセスでは、チャンバ(12)中に基板を順次的、循環的に取り付けるステップと、基板上に半導体材料を堆積するステップと、チャンバ(12)から基板を取り外すステップとを含んだ成長プロセスが設けられる。取り外しステップの後に、チャンバ(12)を洗浄するためのプロセスが実施される。本発明は、CVD反応炉全体を洗浄するためのプロセスにも関し、それには、加熱するステップとともに、ガス流中に化学エッチングする構成要素が設けられる。

請求項（抜粋）：

CVD反応炉の反応チャンバを洗浄するためのプロセスであって、 除去すべき材料の昇華を開始させる温度以上の温度まで、前記チャンバの壁を加熱するステップ、 前記チャンバ中にガス流を流入させるステップ、 を含むことを特徴とする洗浄プロセス。

IPC (5件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  C30B 25/02 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

C23C16/44 J ,  H01L21/205 ,  C30B29/36 A ,  C30B25/02 Z ,  H01L21/31 B

Fターム (29件)：

4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077EG28 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TD03 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030DA06 ,  4K030GA05 ,  4K030JA05 ,  4K030JA10 ,  4K030KA47 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AC13 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD18 ,  5F045DP14 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB06 ,  5F045EC05 ,  5F045EK06

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 国際公開第2004/053189号パンフレット
  
• 国際公開第2004/053187号パンフレット
  
• 国際公開第2004/053188号パンフレット