特許

J-GLOBAL ID：200903076874033083

不揮発性半導体メモリの検査方法

発明者： 倉田 勝一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093394
公開番号（公開出願番号）：特開2000-285697
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 不揮発性半導体メモリ内のショート検出とメモリセル間のショート検出パターンの書き込み時間を低減することができる不揮発性半導体メモリの検査方法を提供する。【解決手段】 最初にメモリセルをすべて消去し、データを“1”にすると共に、セル(A,a)を期待値“1”で読み出し、PASSすれば書き込みを行い、同様にセル(C,a)も期待値“1”での読み出し、書き込み、セル(E,a),セル(G,a),セル(B,b),セル(D,b),セル(F,b),セル(H,b),セル(A,c),セル(A,e),セル(A,g),セル(B,d),セル(B,f),”セル(B,h)も読み出し、書き込みを行い、そのPASS,FAIL状況により、列デコーダ,行デコーダ内のショートを検出するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

電気的にデータの書き換えが可能なメモリセルが行および列方向に所望の容量分マトリックス状に配置されたメモリセルアレーと、Xアドレス信号を入力とし、前記メモリセルアレーの行を選択する行デコーダと、Yアドレス信号を入力とし、前記メモリセルアレーの列を選択する列デコーダを有する不揮発性半導体メモリの検査方法であって、前記メモリセルアレーを全ビット同一データにし、前記メモリセルアレー中の任意の2行において1行は偶数列のメモリセル、1行は奇数列のメモリセルに対して順次データの読み出しおよび、期待値通りのデータの場合は反転データへの置き換えを繰り返すことにより、Xデコーダ内のショート検出を行うと共に、前記メモリセルアレー中の任意の2列において1列は偶数列のメモリセル、1列は奇数列のメモリセルに対して順次データの読み出しおよび、期待値通りのデータの場合は反転データへの置き換えを繰り返すことにより、Yデーコダ内のショート検出を行い、さらに、前記データ置き換え実施以外の列,行のメモリセルを、市松模様のデータに置き換え、Xデコーダ,Yデコーダ内ショート検出後の書き換えを行うことなくメモリセル間のショート検出を行うことを特徴とする不揮発性半導体メモリの検査方法。

IPC (2件)：

G11C 29/00 652 ,  G11C 17/00

FI (2件)：

G11C 29/00 652 ,  G11C 17/00 D

Fターム (11件)：

5B003AA05 ,  5B003AB05 ,  5B003AC07 ,  5B003AE04 ,  5L106AA10 ,  5L106DD22 ,  5L106DD23 ,  5L106DD25 ,  5L106EE00 ,  5L106EE01 ,  5L106GG07