特許

J-GLOBAL ID：200903076875716770

半導体装置のボンディングパッド部の構造

発明者： 楠山 幸一
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-009987
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203953
出願日： 1995年01月25日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、エレクトロマイグレーション耐性の向上、耐腐食性並びにストレスマイグレーション耐性の改善、抵抗値の低減及びボンダビリティの良好性を得ることを目的とする。【構成】 2層以上のアルミニウム主体の配線層における上層配線層160と下層配線層120との間に金属珪化物層150を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2層以上のアルミニウム主体の配線層を有する半導体装置のボンディングパッド部の構造において、前記2層以上のアルミニウム主体の配線層における上層配線層と下層配線層の間に金属珪化物層を形成してなることを特徴とする半導体装置のボンディングパッド部の構造。

IPC (5件)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/92 602 J