特許

J-GLOBAL ID：200903076877849823

半導体ウェハのエッチング方法およびエッチング装置

発明者： 佐藤 薫
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-328839
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151359
出願日： 1992年11月12日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 エッチング処理工程に於て表面荒れを生ずることのないように改良された半導体ウェハのエッチング方法およびエッチング装置を提供する。【構成】 半導体ウェハ5に形成された表面皮膜6にエッチングガスを接触させることによって前記皮膜にエッチングを施すためのエッチング方法に於て、エッチングガスの濃度をエッチングの進行に応じて変化させるようにする。そのために、エッチングガスの濃度可変手段9b・9cをエッチング装置に設けるものとする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハに形成された表面皮膜をエッチングガスによってエッチングするためのエッチング方法であって、前記エッチングガスの濃度をエッチングの進行に応じて変化させることを特徴とする半導体ウェハのエッチング方法。