特許
J-GLOBAL ID：200903076880922124
電力半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-092743
公開番号（公開出願番号）：特開2007-266520
出願日： 2006年03月30日
公開日（公表日）： 2007年10月11日
要約：
【課題】チップ面積に占める導通領域面積の割合を増大し、かつ阻止耐圧を安定化した高電圧半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の高電圧半導体装置は、主pn- 接合を形成するp層をリング状に取り囲む多重に配置したp層と、このp層をさらに取り囲むリング状のn+ 層とを有し、多重のp層及びn+ 層の間及びその直下にn層配置して、高電圧半導体装置の等電位線の伸びを抑えることにより、電圧阻止領域の面積を縮小し、導通領域面積を増大し、界面の電荷の影響を受けにくい、安定した阻止耐圧を実現する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
一対の主表面を持つ第1導電型の第1の半導体領域と、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる第2導電型の第2の半導体領域と、第2の半導体領域を囲むように形成され、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる第2導電型の複数の第3の半導体領域と、第3の半導体領域を囲むように形成され、一方の主表面より第1の半導体領域に延びる第1導電型の第4の半導体領域と、
他方の主表面に形成された第1の主電極と、第2の半導体領域に低抵抗接触し、絶縁膜を介して形成される第2の主電極と、第3の半導体領域に低抵抗接触し、第2の半導体領域の側及びその反対側に絶縁膜を介して形成される複数の補助電極と、を有し、
一方の主表面より第1の半導体領域に延びる第2導電型の第2の半導体領域及び、一方の主表面より第1の半導体領域に延びる第2導電型の第3の半導体領域及び、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる第1導電型の第4の半導体領域を侵さず、一方の主表面より第1の半導体領域内に延びる、第1導電型の第5の半導体領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/06
, H01L 29/861
, H01L 29/78
, H01L 29/739
H01L29/06 301G
, H01L29/91 D
, H01L29/78 652P
, H01L29/78 655A
, H01L29/78 655F
, H01L29/06 301F
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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