特許

J-GLOBAL ID：200903076884540633

無電解めっき方法

発明者： 森田 一弘 ,  沼田 外志 ,  高野 良比古 ,  千田 厚生
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190687
公開番号（公開出願番号）：特開平8-060376
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：

【要約】【目的】無電解めっき方法によりスズもしくはスズ鉛合金である半田皮膜を形成する安定なめっき浴を提供する。【構成】二価のスズイオンもしくは二価のスズイオンと鉛イオン、錯化剤、還元剤、およびpH調整剤とを含む無電解めっき浴に、ハイドロキノンなどの酸化防止剤を添加し、窒素ガスなどの不活性ガスを通気することにより、めっき浴の酸化が防止できるようになった。その結果、スズあるいはスズ鉛合金である半田皮膜を無電解めっき方法により安定して形成することができるようになると共に、めっき浴の劣化が防止できるようになった。

請求項（抜粋）：

二価のスズイオンもしくは二価のスズイオンと鉛イオン、錯化剤、還元剤、およびpH調整剤とを含む無電解めっき浴に、酸化防止剤を添加し、不活性ガスを通気することを特徴とする無電解めっき方法。

IPC (2件)：

C23C 18/31 ,  C23C 18/48