特許

J-GLOBAL ID：200903076887741400

窒化硼素膜の製造方法

発明者： 戸田 直大 ,  富川 唯司 ,  中山 明
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-151781
公開番号（公開出願番号）：特開平5-004808
出願日： 1991年06月24日
公開日（公表日）： 1993年01月14日
要約：

【要約】【目的】 高純度の立方晶窒化硼素薄膜を基体表面に高速で生成、析出できる新規な窒化硼素膜の製造方法を提供することを目的とする。的とする。【構成】 硼素原子を含むターゲットにエキシマレーザー光を照射し、窒素原子を含むガス雰囲気で該ターゲットに対向して配置した基体上に立方晶窒化硼素膜を合成する方法において、150nmから260nmの波長を持つパルスレーザー光を成膜と同時に基体表面に照射することを特徴とする窒化硼素膜の製造方法。

請求項（抜粋）：

硼素原子を含むターゲットにエキシマレーザー光を照射し、窒素原子を含むガス雰囲気で該ターゲットに対向して配置した基体上に立方晶窒化硼素膜を合成する方法において、150nmから260nmの波長を持つパルスレーザー光を成膜と同時に基体表面に照射することを特徴とする窒化硼素膜の製造方法。

IPC (3件)：

C01B 21/064 ,  C30B 25/06 ,  C30B 29/38