特許
J-GLOBAL ID：200903076897276234
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-042250
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242468
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 SOI構造を有する半導体装置において、その装置特性が劣化することを防止するとともに、装置特性をさらに向上させることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 レジスト22bをマスクとしてNMOS領域NRに窒素(N)イオンを注入することで、チャネルドープ層31内に窒素イオンが導入され、レジスト22cをマスクとしてPMOS領域PRに窒素イオンを注入することで、チャネルドープ層31内に窒素イオンが導入され、後の熱処理によりチャネルドープ層31内に、深さ方向に所定の濃度分布で窒素を有した構成が得られる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に、埋め込み酸化膜およびSOI層を順に積層したSOI基板に形成される半導体装置であって、前記SOI層の所定位置に、前記SOI層の表面から前記埋め込み酸化膜の表面にかけて形成された第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域を間に挟むように、前記SOI層の表面内に選択的に独立して形成された1対の第2導電型の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域の上部に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記第1の半導体領域は、その内部に深さ方向に所定の濃度分布となるように導入された窒素を有し、前記所定の濃度分布は、前記第1の半導体領域と前記埋め込み酸化膜との界面近傍が第1の濃度で突出した第1のピーク部を有し、前記第1の半導体領域と前記ゲート酸化膜との界面近傍が第2の濃度で突出した第2のピーク部を有する分布である半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 621
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 617 V
, H01L 29/78 618 G
