特許
J-GLOBAL ID：200903076907366563

固体撮像素子

発明者：
井上 知己

井上 知己 について

, 
宇家 真司

宇家 真司 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-066038
公開番号（公開出願番号）：特開2006-253321
出願日： 2005年03月09日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
【課題】暗電流を抑制して高画質の撮像を行うことが可能な積層型の固体撮像素子を提供する。【解決手段】半導体基板上方に積層された光電変換膜15,19,23を有する固体撮像素子100は、光電変換膜15と電気的に接続され、光電変換膜15で発生した信号電荷を蓄積するn型半導体基板1表面に設けられたn型の不純物領域であるn+領域3と、n+領域3の下に設けられ、n+領域3に蓄積された信号電荷を蓄積するn+領域3よりも薄い濃度のn型の不純物領域であるn領域9と、n領域9に蓄積された信号電荷を読み出すための信号電荷読み出し領域(pウェル層2の転送電極11と重なる領域)と、n+領域3と信号電荷読み出し領域の間のn型半導体基板1表面に設けられるp型の不純物領域であるp領域8とを備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上方に積層された光電変換膜を有する固体撮像素子であって、 前記光電変換膜と電気的に接続され、前記光電変換膜で発生した信号電荷を蓄積する前記半導体基板表面に設けられた第1導電型の第1不純物領域と、 前記第1不純物領域の下に設けられ、前記第1不純物領域に蓄積された前記信号電荷を蓄積する前記第1不純物領域よりも薄い濃度の第1導電型の第2不純物領域と、 前記第2不純物領域に蓄積された信号電荷を読み出すための信号電荷読み出し領域と、 前記第1不純物領域と前記信号電荷読み出し領域の間の前記半導体基板表面に設けられる前記第1導電型と逆の第2導電型の第3不純物領域とを備える固体撮像素子。
IPC (2件)：
H01L 27/146 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L27/14 E ,  H04N5/335 R
Fターム (14件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA08 ,  4M118DA03 ,  4M118FA13 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB02 ,  4M118GC08 ,  5C024CX32 ,  5C024GX06 ,  5C024GX07 ,  5C024GY01 ,  5C024HX41
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • イメージセンサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-271555   出願人：日本放送協会
審査官引用 (2件)
  • 特開昭59-178769
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-070892   出願人：株式会社東芝

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