特許

J-GLOBAL ID：200903076910597975

半導体発光素子、並びに当該発光素子を用いた光学検知装置、光学的情報処理装置、光結合装置及び発光装置

発明者： 柳ケ瀬 雅司 ,  渡辺 秀明 ,  今仲 行一
出願人/特許権者： オムロン株式会社
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-151499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338630
出願日： 1993年05月28日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】 発光領域で発光した光のほとんど全てを光取り出し部へ集めることによって、高い発光効率を有する発光素子を提供することにある。【構成】 基板2の上に多層反射膜3、下クラッド層4、活性層5、上クラッド層6、キャップ層7を積層し、さらに、キャップ層7の上に反射レンズ層8及び表面電極11を設ける。反射レンズ層8は、同心円状の輪帯8a,8b,...(あるいは、その一部)に分割され、中心の開口13は光取り出し窓12と一致する。また、反射レンズ層8の上面には光反射面10を形成し、各輪帯8a,8b,...の光反射面10は半導体基板2の表面に対して傾斜しており、光反射面10で反射した光は光取り出し窓12側へ近寄せられる。

請求項（抜粋）：

屈折率の異なる薄膜を複数層積層してなる多層反射膜を基板の上方に形成し、この多層反射膜の上方に下クラッド層及び上クラッド層で挟まれた活性層を形成し、基板表面に対して傾きを有し、前記活性層から発光された光や前記多層反射膜で反射した光を光取り出し部へ集める働きをする光反射面を前記上クラッド層の上方に設けたことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-018980   出願人：株式会社東芝