特許
J-GLOBAL ID：200903076911972559
薄膜形成方法及び薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-150728
公開番号（公開出願番号）：特開平7-014830
出願日： 1993年06月22日
公開日（公表日）： 1995年01月17日
要約：
【要約】【目的】 装置の大型化を招くことなく、膜厚均一性の優れた膜を高スループットで形成可能であり、さらに成膜した半導体ウェハの歩留りの向上を図り得る薄膜形成方法及び薄膜形成装置を提供する。【構成】 基板電極となる回転筒体10と、回転筒体10を回転駆動するモータ20と、回転筒体10の回転量を検出するセンサ30と、モータ20の駆動制御を行なう制御装置40とを備えてなる薄膜形成装置1を用いる。そして、回転筒体10の側面の境界線15がターゲット50の中心50aに正対した時に回転筒体10の回転が一旦停止するか、又は境界線15が中心50aとの正対位置を通過する時に回転筒体10の回転速度が一旦低下するように、制御装置40によりモータ20の回転を制御する。【効果】 回転方向の膜厚の均一性がよくなり、膜形成装置の小型化及び高スループット化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
その側面の一部がターゲットに対向させられてなる回転筒体の側面に複数の半導体ウェハを、回転方向に相互に離した状態で並べて取り付け、前記回転筒体をその中心軸線を回転軸として回転させながら半導体ウェハの表面上に薄膜を形成するにあたり、隣り合う半導体ウェハ同士の間部分が前記ターゲットの中心に正対した時に回転筒体の回転を一旦停止させるか、又はその間部分が前記ターゲットの中心との正対位置を通過する時に回転筒体の回転速度を一旦低下させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
