特許

J-GLOBAL ID：200903076912855351

パターン形成方法

発明者： ラケシュ クマール ,  法元 寛
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011464
公開番号（公開出願番号）：特開平8-202050
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 露光領域、未露光領域のシリコン含有量のコントラストを十分にとることでき、十分な膜厚の微細なレジストパターンを形成すること。【構成】 基体としてのシリコン基板1上にフェノール樹脂を母体とするネガ型のレジスト2を塗布し(図1(a))、次いでレジスト2を選択的に露光した後(図1(b))、熱処理する(図1(c))。次にシリル化剤を用いてレジスト2の未露光領域4をシリル化し、このシリル化したレジスト2をリンス剤を用いてリンスした後(図1(d))、上記のシリル化領域5を酸化して酸化シリコン層6にする(図1(e))。そして酸化シリコン層6をマスクにしてレジスト2をエッチングし、レジストパターン7を得る(図1(f))。このような工程において、上記シリル化剤および上記リンス剤としてそれぞれ、キシレンより沸点が低い炭化水素化合物を少なくとも一種含む有機溶剤を用いる。

請求項（抜粋）：

基体上にフェノール樹脂を母体とするネガ型のレジストを塗布する工程と、該レジストを選択的に露光した後、熱処理する工程と、シリル化剤を用いて前記レジストの未露光領域をシリル化する工程と、このシリル化したレジストをリンス剤を用いてリンスした後、前記シリル化した領域を酸化する工程と、該酸化した領域をマスクにして前記レジストをエッチングする工程とを有するパターン形成方法において、前記シリル化剤および前記リンス剤としてそれぞれ、キシレンより沸点が低い炭化水素化合物を少なくとも一種含む有機溶剤を用いることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

G03F 7/32 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 569 E