特許

J-GLOBAL ID：200903076913670177

薄膜の膜厚及び多層薄膜の層厚の制御方法

発明者： 高木 康夫 ,  秋山 信広 ,  飯島 功
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-038751
公開番号（公開出願番号）：特開平6-172999
出願日： 1991年03月05日
公開日（公表日）： 1994年06月21日
要約：

【要約】【目的】 薄膜の膜厚または多層薄膜の各層の層厚を中心からの任意の距離の関数G(r) とする事が可能なスパタリング蒸着法により蒸着膜(層)厚を制御することを目的とする。【構成】 スパタリング蒸着法において、スパタリング用ターゲットと蒸着基板の間に適当な開口部分を有するマスクを挿入し、蒸着基板またはマスクのいずれかをそれぞれの面に沿って自転させる。マスクの開口部分の大きさを所望の膜(層)厚分布が得られるような中心からの開口部分の面積f(r) を有するように調節する。またその際斜め蒸着効果を考慮してf(r) の最大値がマスクの半径の1/10を越えないような開口部分を有するマスクを使用する。かゝるマスクを使用した場合のf(r) は幅Aのスリット状のマスクを利用した時の膜厚分布GA (r)と所望の膜厚分布を用いてf(r) =A・G(r) /GA (r) と求められる。

請求項（抜粋）：

イオンまたは中性粒子によってターゲットをスパタリングし、蒸着基板をターゲットの前方又は側方に設置して、ターゲットから放出される粒子を蒸着することによって薄膜を作製するスパタリング蒸着法において、蒸着基板を基板面に沿って自転させ、更にスパタリング用ターゲットと蒸着基板の間に、蒸着率をVd (r) 、膜厚をg(r) 、全蒸着時間をTとしたとき、基板の自転中心からの距離rにおける周の長さf(r) が【数1】から求められるような開口部分を有するマスクを設置し、基板の自転中心からの距離rにおける膜厚が所定のg(r) となるような薄膜を作製することを特徴とする薄膜の膜厚制御方法。

IPC (5件)：

C23C 14/54 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/50