特許
J-GLOBAL ID：200903076915999877
半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-356052
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188511
出願日： 1992年12月18日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：
【要約】【目的】 端面劣化を抑制した、リッジ導波路型の半導体レーザ素子を提供する。【構成】 反射率が異なる共振器端面を有し、活性層5上にリッジメサを有する半導体レーザ素子において、リッジメサを反射率の低い方の共振器端面近傍の領域を除いて形成し、該領域の少なくとも一部分には電流非注入構造12を設ける。
請求項（抜粋）：
反射率が異なる共振器端面を有し、活性層上にリッジメサを有する半導体レーザ素子において、リッジメサは反射率の低い方の共振器端面近傍の領域を除いて形成されており、該領域の少なくとも一部分には電流非注入構造が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
引用特許：
前のページに戻る
