特許
J-GLOBAL ID:200903076919839718
液晶表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小池 隆彌
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-146139
公開番号(公開出願番号):特開2000-338511
出願日: 1999年05月26日
公開日(公表日): 2000年12月08日
要約:
【要約】【課題】 修正成功率を向上させることができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】 液晶層を挟んで対向配置された一対の基板のうちの一方側の基板上に、データ信号を供給するデータ信号線とタイミング信号を供給する走査信号線とが交差する状態で配線され、かつ、該走査信号線から分岐したゲート電極上に該両信号線と電気的に接続して薄膜トランジスタが形成されてなり、これら両信号線および薄膜トランジスタの一部を覆って形成された層間絶縁膜上に画素電極が形成されるとともに、該画素電極は該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して該薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続されてなる液晶表示装置において、前記ドレイン電極に、電極幅を狭くしてなるくびれ部を形成するとともに、前記画素電極の該ドレイン電極のくびれ部上方に対応する領域に開口部を形成し、該開口部が、該画素電極の外周に接して形成される。
請求項(抜粋):
液晶層を挟んで対向配置された一対の基板のうちの一方側の基板上に、データ信号を供給するデータ信号線とタイミング信号を供給する走査信号線とが交差する状態で配線され、かつ、該走査信号線から分岐したゲート電極上に該両信号線と電気的に接続して薄膜トランジスタが形成されてなり、これら両信号線および薄膜トランジスタの一部を覆って形成された層間絶縁膜上に画素電極が形成されるとともに、該画素電極は該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して該薄膜トランジスタのドレイン電極と電気的に接続されてなる液晶表示装置において、前記ドレイン電極には、電極幅を狭くしてなるくびれ部が形成されているとともに、前記画素電極には、該ドレイン電極のくびれ部上方に対応する領域に開口部が形成されてなり、該開口部は、該画素電極の外周に接して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 29/786
FI (3件):
G02F 1/1343
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 616 T
Fターム (46件):
2H092JA26
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA46
, 2H092JA47
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB33
, 2H092JB38
, 2H092JB51
, 2H092JB56
, 2H092JB63
, 2H092JB69
, 2H092JB72
, 2H092JB73
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092MA05
, 2H092MA08
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA16
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA27
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092MA47
, 2H092NA25
, 2H092NA29
, 2H092PA06
, 2H092QA07
, 5F110AA27
, 5F110CC07
, 5F110EE23
, 5F110HM02
, 5F110HM04
, 5F110HM18
, 5F110HM19
, 5F110NN02
, 5F110NN73
, 5F110QQ30
引用特許:
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