特許

J-GLOBAL ID：200903076926361440

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者： 高木 幹夫
出願人/特許権者： 株式会社エフティーエル
代理人 (1件)： 村井 卓雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308047
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245298
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、電気炉を用いて急速加熱プロセスを実施できる半導体装置の製造方法と装置を提供する。【構成】 ウェーハの挿入端から深さ方向に一定長の所定温度領域とそれより高い一定長の高温領域を備えた炉を用い、両温度領域の間でウェーハを移動させることでプロセスを行う。同一の炉内で、連続プロセスとなし得るので、クリーンプロセスにできる。

請求項（抜粋）：

ウェーハの挿入端から深さ方向に一定長さの所定温度領域と当該所定温度より高い一定長さの高温領域を備えた炉の挿入端から、ウェーハを挿入し、所定温度領域にて第一の処理を行い、次いで、ウェーハを高温領域に移動させ、第二の処理を行い、所定温度領域に戻す工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-270233
  
• 特開平1-321627
  
• 特開平3-136320