特許

J-GLOBAL ID：200903076926886470

マスク基板、該マスク基板が装着される投影露光装置、 及び該投影露光装置を用いたパターン形成方法

発明者： 柿崎 幸雄 ,  木内 徹 ,  天野 今朝芳 ,  馬立 稔和
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330542
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171246
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 回路パターンを感光基板上に転写する際に生じるマスク基板の膨張による転写誤差を低減する。【解決手段】 マスク基板をマスクステージ上に配置された複数の載置部上に載置する際、マスク基板が温度変化等によって自由に膨張するようにマスク基板をステージ上に緩く保持し、それと関連してマスク基板の膨張量に関する値を計測する計測器(温度センサーや干渉計等)を設け、計測した膨張量に基づいて、マスク基板と感光基板とのアライメント位置や重ね合せ位置等をマスク基板の膨張量に応じて補正するようにした。

請求項（抜粋）：

感光基板上に回路パターンを転写するために、一定の厚みを有する透明な平行平板の一方の主面に遮光性物質または位相シフター物質の層によって前記回路パターンが形成されるマスク基板において、前記透明な平行平板の周縁を規定する端面部分の少なくとも一部の表面に、光ビームに対して所定の反射率を有するように形成された反射物質を含み、該反射物質の形成された端面部分を基準位置として前記回路パターンが前記平行平板の主面上に形成されていることを特徴とするマスク基板。

IPC (2件)：

G03F 1/14 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/14 Z ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 525 Z ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-255445
  
• 特開平4-335352
  
• 特開平4-192317