特許

J-GLOBAL ID：200903076926914920

パターン形式方法および薄膜磁気ヘツド

発明者： 竹元 一成 ,  天辰 篤志 ,  薗部 秀樹 ,  池田 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-154365
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013323
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】高段差基板上の薄膜をイオンミリング等の物理エッチングで高精度にパターン化する。【構成】感光性の蒸着膜1とSi膜4と炭素膜3の積層膜によって、順次、パターンを転写し、下層の被加工薄膜2を高精度エッチング可能とした。【効果】蒸着膜は段差被服性が優れているため、レジストの厚さを段差凹部で薄くできるので、イオンミリング時の再付着を防ぎ寸法精度を向上する効果がある。

請求項（抜粋）：

被加工面内に大きな高低差をもつ基板にレジストパターンを形成し、物理スパッタ法を主とする乾式エッチング方法によってレジストのない部分の被加工材料を除去してパターンを形成する方法において、前記レジストを蒸着法によって形成し、前記被加工面内の前記レジストの膜厚を均一化したことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/00 307 ,  C23C 14/12 ,  C23F 4/00 ,  G11B 5/31 ,  H01L 21/302