特許
J-GLOBAL ID：200903076927317534
SrTiO3 薄膜の形成方法及び形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-020048
公開番号（公開出願番号）：特開平6-235064
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 膜質が均一で、リーク電流が小さく、しかも配向性に優れた良質のSrTiO3 薄膜を形成する。【構成】 基板3の表面に短波長光源15によって短波長光を照射する。基板ホルダ4に、インダクタ14を介して直流電圧源13を接続する。ボンベ6内のO2 ガスを流量制御装置8によって流量制御し、オゾン化装置10によって約10%のO2 をオゾン化した後、成膜室1内に導入する。また、Arガスを流量制御して成膜室1内に導入する。SrTiO3 セラミックターゲット11に高周波電界を印加し、ターゲット11上に、主にO2 、O3 及びArからなるプラズマを発生させる。そして、このプラズマによってターゲット11の表面からターゲット構成元素をたたき出し、基板3上に堆積させる。
請求項（抜粋）：
真空状態に保持された成膜室内に設置され、少なくともSrとTiによって構成されるターゲットに高周波電界を印加し、前記成膜室内に導入した不活性ガスとO2 ガスとによってプラズマを発生させ、前記ターゲットの表面からターゲット構成元素をターゲットと対向して配置した基板上に堆積するSrTiO3 薄膜の形成方法であって、前記基板に誘起される高周波電圧を保持した状態で直流電圧を印加することを特徴とするSrTiO3 薄膜の形成方法。
IPC (6件)：
C23C 14/44
, B01J 19/08
, B01J 19/12
, C01G 23/00
, C04B 35/46
, C23C 14/08
