特許

J-GLOBAL ID：200903076928778977

適応型負性微分抵抗デバイス

発明者： キング,ツ-ジェ
出願人/特許権者： プログレッサント テクノロジーズ,インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 内原 晋
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-563703
公開番号（公開出願番号）：特表2006-511941
出願日： 2003年12月17日
公開日（公表日）： 2006年04月06日
要約：

【課題】 単一のシリコンウェーハ中に形成した互いに異なる回路に多様な負性微分抵抗(NDR)特性を付与できるように製造工程中または出荷後のフィールドでの通常動作中に最大電流対最小電流比(PVR)値などの特性値を調整できるようにしたNDRデバイスを提供する。【解決手段】 互いに異なるNDRモードを発現するように動作中に多様にNDR特性を変える過程を含むNDR素子の制御の方法を開示している。NDR素子(シリコン利用のNDR FETなど)に印加するバイアスの条件を変えることによって、最大電流対最小電流比(PVR)値(またはそれ以外の特性)をNDR素子利用回路の所望の動作変化の実現のために動的に変えることができる。例えば、メモリ用または論理回路用では、動作電力の削減のために最小電流値を休止期間中に小さくすることができる。すなわち、適応型NDR素子を慣用の半導体回路の中で有利に活用することができる。

請求項（抜粋）：

集積回路の中のシリコン利用の適応型負性微分抵抗(NDR)デバイスを動作させる方法であって、 前記シリコン利用の適応型NDRデバイスを第1の期間のあいだ第1の電流-電圧関係で動作させる過程と、 前記シリコン利用の適応型NDRデバイスを第2の期間のあいだ第2の電流-電圧関係で動作させる過程と を含み、前記第1の電流-電圧関係と前記第2の電流-電圧関係とが、第1の動作モードおよび第2の動作モードをそれぞれ含む二つの別々の動作モードを前記シリコン利用の適応型NDRデバイスがもつことができるように、互いに十分に異なっており、 前記集積回路の中の制御回路の発生した制御信号に応答して前記シリコン利用の適応型NDRデバイスを前記第1の動作モードと前記第2の動作モードとの間で切り換える過程と を含む方法。

IPC (10件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/66

FI (9件)：

H01L29/78 301J ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/78 622 ,  H01L29/78 618F ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 371 ,  H01L29/66 C

Fターム (116件)：

5F048AA07 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB03 ,  5F048BB04 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BB16 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048DA25 ,  5F083EP17 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F101BA41 ,  5F101BD01 ,  5F110AA08 ,  5F110BB03 ,  5F110BB07 ,  5F110BB13 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE38 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110HK40 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL22 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110NN78 ,  5F140AA00 ,  5F140AC00 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BB13 ,  5F140BB15 ,  5F140BB16 ,  5F140BC06 ,  5F140BC09 ,  5F140BC17 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF06 ,  5F140BF10 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08

引用特許：

出願人引用 (1件)

• USP 6 479 862