特許

J-GLOBAL ID：200903076929075031

半導体基板およびその製造方法

発明者： 後藤 光彦 ,  城生 愛次 ,  立川 昭義 ,  二木 登史郎
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080543
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279443
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】【目的】 デバイスが形成される化合物半導体層部分に、ダメージがなく、高い絶縁性を有する製造方法を提供する。【目的】 シリコン基板1上に化合物半導体層2をエピタキシャル成長し、該化合物半導体層2上に、シリコン酸化膜3を成膜し、該シリコン酸化膜3上に、ガラス基板4を乗せ、該シリコン酸化膜3と該ガラス基板4とを接合し、前記シリコン基板1の全てを除去し、露出した前記化合物半導体層表面から、前記シリコン基板からシリコンが拡散した部分30を除去することを特徴とする半導体基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

ガラス基板、シリコン酸化物、シリコン酸化物とシリコン窒化物との混合物、多結晶シリコンとシリコン酸化物との積層物、アモルファスシリコン、およびアモルファスシリコンとシリコン酸化物との積層物よりなる群から選択された少なくとも一つの基材と、該基材上に形成されている化合物半導体層と、よりなることを特徴とする半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/02 C ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12 B