特許

J-GLOBAL ID：200903076931916922

過弗化物の処理方法及びその処理装置

発明者： 入江 一芳 ,  森 俊浩 ,  横山 久男 ,  富山 高行 ,  高野 利英 ,  玉田 慎 ,  菅野 周一
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立エンジニアリング株式会社 ,  日立協和エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-323145
公開番号（公開出願番号）：特開平11-319485
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：

【要約】【課題】触媒層の閉塞を防止して過弗化物の分解反応を向上する。【解決手段】過弗化物(PFC)及びSiF4 が含まれる半導体製造装置の排ガスが、前置スプレー11内に導入されて水と接触され、SiがSiO2 となって除去される。前置スプレー11から排出された排ガスは、反応水と混合され、加熱器12によって700°Cの温度に加熱される。その後、PFCを含む排ガスは、アルミナ系触媒が充填された触媒層14に導かれる。PFCは触媒によってHFとCO2に分解される。触媒層14から排出されたCO2 及びHFを含む高温の排ガスは、冷却装置16内で冷却される。その後、排ガスは除去装置17に導かれ、HFが除去される。排ガス中のSiが除去されるので、SiF4 と反応水との反応で生成されるSiO2 によって触媒層14が閉塞することを防止できる。

請求項（抜粋）：

過弗化物及びケイ素を含む排ガスからこのケイ素分を除去し、その後、水及び水蒸気のいずれかが添加された、前記過弗化物を含む排ガスを、加熱して、触媒が充填された触媒層に供給し、前記排ガスに含まれた前記過弗化物を前記触媒によって分解し、前記過弗化物の分解によって生じた分解ガスを含む排ガスを冷却して排気する過弗化物の処理方法。

IPC (4件)：

B01D 53/70 ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/68 ,  B01D 53/86

FI (4件)：

B01D 53/34 134 E ,  B01D 53/34 ZAB ,  B01D 53/34 134 C ,  B01D 53/36 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フッ素化合物含有ガスの処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-004349   出願人：株式会社日立製作所
• 真空排気システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074620   出願人：株式会社荏原製作所
• フッ素含有化合物の分解処理方法、触媒及び分解処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-172543   出願人：株式会社日立製作所
• フッ素化合物含有ガスの処理方法および触媒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-046824   出願人：株式会社日立製作所