特許
J-GLOBAL ID:200903076936804081

回路基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-207297
公開番号(公開出願番号):特開平8-078801
出願日: 1994年08月31日
公開日(公表日): 1996年03月22日
要約:
【要約】【目的】基板に接着強度の高い金属薄膜を無電解メッキにより形成する方法を提供する。【構成】アルミナなどの絶縁基板に、まず成膜速度は小さいが接着強度の大きい薄膜無電解メッキを施し、続いて成膜速度の大きい厚膜無電解メッキを施す。このような二段階メッキを行うことにより接着強度の高いメッキ層を短時間で形成することができる。
請求項(抜粋):
第一メッキ層と第二メッキ層とから構成されたメッキ層を有することを特徴とする回路基板。
IPC (2件):
H05K 1/09 ,  C23C 18/40

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