特許

J-GLOBAL ID：200903076939869621

強誘電体薄膜作製用前駆体、その製造方法、及び強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 森山 弘朗 ,  梨本 恵一 ,  高橋 徳好
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218741
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064335
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 高い品質(高密度等)を有する強誘電体薄膜を低温で作製するための安定な前駆体等を提供する。【解決手段】 酢酸金属塩と金属アルコキシドとを有機溶媒に溶解する。次いで、上記工程で得られた系に、有機溶媒を補給しつつ加熱蒸留する。こうして、その系中での反応によって得られる有機金属化合物と、未反応の残留酢酸金属塩とを含む強誘電体薄膜作製用前駆体であって、未反応の残留酢酸金属塩を、使用した酢酸金属塩の52モル%以下含む強誘電体薄膜作製用前駆体を製造する。これを加熱処理することによって、強誘電体薄膜が作製される。

請求項（抜粋）：

酢酸金属塩と金属アルコキシドとを有機溶媒に溶解し、その系中での反応によって得られる有機金属化合物と、未反応の残留酢酸金属塩とを含む強誘電体薄膜作製用前駆体であって、未反応の残留酢酸金属塩を、使用した酢酸金属塩の52モル%以下含む強誘電体薄膜作製用前駆体。

IPC (3件)：

H01B 3/00 ,  C03C 17/25 ,  C07F 19/00

FI (3件)：

H01B 3/00 F ,  C03C 17/25 A ,  C07F 19/00

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-112412