特許

J-GLOBAL ID：200903076945549388

酸化物膜、その形成方法、スパッタリングタ-ゲットおよび積層体

発明者： 光井 彰 ,  尾山 卓司 ,  林 篤
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-034483
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160331
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：

【要約】【課題】中間の屈折率(n=1.6〜1.9)を有する酸化物膜と、該酸化物膜を直流(DC)スパッタリング法で形成する場合に用いるスパッタリングターゲット、および該スパッタリングターゲットを用いて前記酸化物膜を形成する方法の提供。【解決手段】Nbの酸化物とSiの酸化物とを含み、屈折率が1.6〜1.9である酸化物膜とその形成方法およびスパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

Nbの酸化物とSiの酸化物とを含み、屈折率が1.6〜1.9である酸化物膜。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  B32B 9/00 ,  C04B 35/00 ,  C23C 14/08 ,  G02B 1/11

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 K ,  C04B 35/00 H ,  G02B 1/10 A