有機薄膜トランジスタ

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-003189
公開番号（公開出願番号）：特開2008-171978
出願日： 2007年01月11日
公開日（公表日）： 2008年07月24日
要約：

【課題】自己組織化単分子膜を用いて、生産効率が高い溶液プロセスによって製造することのできる移動度が高くトランジスタ特性が良好な有機薄膜トランジスタ、及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体材料からなる半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜上に光または酸に分解性を有する第1の官能基を有する化合物からなる第1の自己組織化単分子膜を形成する工程、前記単分子膜上に活性光線を露光し、前記単分子膜を分解し露光された部位に第2の官能基を露出させる工程、前記第2の官能基に下記一般式(1)の化合物を反応させ、前記単分子膜上に第3の官能基を形成する工程により形成された第3の官能基を有する単分子膜をゲート絶縁膜上に有することを特徴とする、有機薄膜トランジスタ。【化1】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機半導体材料からなる半導体層、ソース電極、ドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、ゲート絶縁膜上に光または酸によって分解性を有する第1の官能基を有する化合物からなる第1の自己組織化単分子膜を形成する工程、前記自己組織化単分子膜上に活性光線をパターン露光し、前記自己組織化単分子膜を分解し、露光された部位において自己組織化単分子膜上に第2の官能基を露出させる工程、前記第2の官能基に下記一般式(1)で表される化合物を反応させ、前記自己組織化単分子膜上に第3の官能基を形成する工程、により形成された、パターン化された第3の官能基を有する自己組織化単分子膜を、ゲート絶縁膜上に有することを特徴とする、有機薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/40 , H01L 21/368 , H01L 21/312

FI (8件)：

H01L29/78 618A , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 310J , H01L21/368 L , H01L21/312 C , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U

Fターム (65件)：

5F053AA06 , 5F053AA50 , 5F053BB09 , 5F053DD19 , 5F053HH10 , 5F053LL10 , 5F053RR04 , 5F058AA08 , 5F058AB06 , 5F058AB07 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG09 , 5F058AH01 , 5F058AH04 , 5F058BD19 , 5F110AA01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110FF24 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110NN03 , 5F110QQ14

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタ,表示装置、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-312080 出願人：株式会社日立製作所

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