半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：服部雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337585
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232077
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】ハーフミクロン以下の接触口を埋め立てる半導体装置の配線層構造及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板上に絶縁層を形成し、絶縁層に接触口又はブァイアを形成する。絶縁層上にCVD方法を利用し第1金属を蒸着し接触口を埋め立てるCVD金属層又はCVD金属プラグを形成する。次に、得られたCVD金属層又はCVD金属プラグを溶融点以下の高温で真空熱処理しその表面を平滑にした後その上に第2金属をスパッター方法により蒸着し信頼性のあるスパッターされた金属層を形成する。CVD方法による第1金属により接触口を埋め立て、スパッタリング方法により信頼性のあるスパッターされた金属層を形成する。これにより、次世代半導体装置の配線として使用可能である。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハー上に形成されており凹部を有する絶縁膜と、前記凹部を完全に埋め立て平滑な表面を有するCVD金属層と、前記CVD金属層上に形成されており、スパッターされた金属層より構成されたことを特徴とする配線とを含む半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/285 , H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開昭64-051620
特開昭64-051620
特開平2-121329

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